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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 93 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
上升时间: 124 ns
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 851 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Toshiba
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
技术: Si
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 93 ns
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
上升时间: 124 ns
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 851 mg